栅极结构的制作方法

专利申请号：CN202211250270.9

公 开 号：CN115332061B

发 明 人：张静 许宗能 牛龙 

代 理 人：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)顾丹丽

代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

专利类型：发明专利

申 请 日：20221216

公 开 日：20221013

专利主分类号：H01L21/28

关 键 词：第一区域 硬掩模层 栅极材料层 上表面 第二区域 聚合物层 基底 刻蚀 去除 基底上表面 刻蚀工艺 刻蚀过程 刻蚀栅极 有机底层 栅极结构 制造成本 材料层 结构层 内表面 牺牲层 伸长 掩模 源区 制作 保留 

摘      要：本发明提供一种栅极结构的制作方法。该制作方法包括：提供基底，基底上表面包括沿第一方向伸长且跨越多个有源区的多个第一区域、跨越第一区域的多个第二区域、以及位于相邻两个第一区域之间的第三区域；在基底的上表面形成栅极材料层和硬掩模层；刻蚀去除第二区域上的硬掩模层形成凹槽，在凹槽的内表面形成聚合物层；刻蚀去除第三区域上的硬掩模层，且在该刻蚀过程中，聚合物层作为牺牲层，且第三区域上的栅极材料层的上表面露出时，露出凹槽底面的栅极材料层的上表面；以第一区域上保留的硬掩模层为掩模，刻蚀栅极材料层以形成栅极。如此，栅极的制造成本较低，且避免了有机底层结构层的刻蚀工艺窗口较窄的问题。