栅极结构的制作方法

专利申请号：CN202211250269.6

公 开 号：CN115332060B

发 明 人：朱梦媚 尹记红 许宗能 

代 理 人：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)顾丹丽

代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

专利类型：发明专利

申 请 日：20221216

公 开 日：20221013

专利主分类号：H01L21/28

关 键 词：氧化物层 第二区域 第一区域 氮化物层 基底 刻蚀 去除 基底上表面 栅极材料层 刻蚀工艺 刻蚀过程 刻蚀栅极 有机底层 栅极结构 制造成本 材料层 结构层 上表面 牺牲层 伸长 保留 掩模 源区 制作 

摘      要：本发明提供一种栅极结构的制作方法。该制作方法包括：提供基底，基底上表面包括沿第一方向伸长且跨越多个有源区的多个第一区域、跨越第一区域的多个第二区域、以及位于相邻两个第一区域之间的第三区域；在基底的上表面形成栅极材料层和ONO层，ONO层包括第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层；刻蚀去除第二区域上的第二氧化物层和氮化物层，且至少保留第二区域上部分厚度的第一氧化物层；刻蚀去除第三区域上的ONO层，且在该刻蚀过程中，第二区域上的第一氧化物层作为牺牲层；至少以第一区域上保留的氮化物层为掩模，刻蚀栅极材料层以形成栅极。如此，栅极的制造成本较低，且避免了有机底层结构层的刻蚀工艺窗口较窄的问题。