具有快速可控的峰值电流、高能效阵列重置和针对安全应用的数据破坏模式的SRAM

专利申请号：CN202210817910.3

公 开 号：CN115620775A

发 明 人：P·K·维玛 P·库玛 H·拉瓦特 

代 理 人：北京市金杜律师事务所董莘

代理机构：北京市金杜律师事务所

专利类型：发明专利

申 请 日：20230117

公 开 日：20220712

专利主分类号：G11C11/418

关 键 词：存储器阵列 存储单元 互补位线 逻辑状态 位线 重置 期望 关联 安全应用 电流供应 峰值电流 时钟周期 数据破坏 高能效 节点处 可控的 亚稳态 字线 

摘      要：本公开涉及具有快速可控的峰值电流、高能效阵列重置和针对安全应用的数据破坏模式的SRAM。一种破坏存储器阵列内容的方法包括：在重置节点处使信号生效，从而导致对存储器阵列的电流供应不足；以及选择与存储器阵列的、包含待使其内容被破坏的存储单元的所期望列相关联的位线和互补位线。针对每个所期望列，将其位线和互补位线的逻辑状态强制到相同的逻辑状态。与存储器阵列的、包含待使其内容被破坏的存储单元的所期望行相关联的每个字线被同时生效，并且然后被同时无效，从而在单个时钟周期期间，将待使其内容被破坏的每个存储单元置于亚稳态。