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一种拓扑结构优化后的大规模波束形成矩阵
专利申请号：CN202211197180.8
公 开 号：CN115621736A
代 理 人：北京艾纬铂知识产权代理有限公司吴亚兰
代理机构：北京艾纬铂知识产权代理有限公司
专利类型：发明专利
申 请 日：20230117
公 开 日：20220929
专利主分类号：H01Q3/28
关 键 词：功率合成电路 传输线 波束形成矩阵 功率分配电路 拓扑结构优化 波束 高密度集成 波束功率 长度一致 分配电路 基板层数 连接电缆 三维叠层 微波电路 微波信号 正反两面 正交结构 馈源端 面积和 馈源 背面
摘 要：本发明提供一种拓扑结构优化后的大规模波束形成矩阵，充分利用了LTCC三维叠层微波电路设计的优势，波束功率分配电路在LTCC基板的正面按行设计，馈源功率合成电路在LTCC基板的背面按列进行设计，使得波束端功率分配电路和馈源端功率合成电路通过正反两面正交结构实现了高密度集成设计，可实现最短且长度一致的微波信号连接，并且不会出现传输线交叉现象，减少了基板层数、面积和连接电缆的数量。
