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一种绝缘体上硅的制备方法
专利申请号：CN202211378498.6
公 开 号：CN115662943A
代 理 人：上海光华专利事务所(普通合伙)余明伟
代理机构：上海光华专利事务所(普通合伙)
专利类型：发明专利
申 请 日：20230131
公 开 日：20221104
专利主分类号：H01L21/762
关 键 词：腐蚀停止层 本征硅 制备 绝缘体上硅薄膜 选择性腐蚀 锗硅合金 厚度偏差控制 腐蚀 表面粗糙度 单晶硅外延 绝缘体上硅 硅器件层 厚度偏差 研磨处理 平坦化 衬底 叠置 键合 优化
摘 要：本发明提供一种绝缘体上硅的制备方法，在p型掺杂单晶硅外延衬底上形成自下而上叠置的本征硅第一腐蚀停止层、锗硅合金第二腐蚀停止层及硅器件层，经氧化、键合、加固及研磨处理后，进行选择性腐蚀，通过p+/本征硅的选择性腐蚀，将位于锗硅合金第二腐蚀停止层上的本征硅第一腐蚀停止层的厚度偏差控制在100nm以内，继而通过第二次腐蚀以及第三次腐蚀，可将最终制备的绝缘体上硅薄膜的厚度偏差优化到小于5nm，表面粗糙度小于从而实现绝缘体上硅薄膜的平坦化制备。
