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含碳双掺杂氮化铝压电薄膜、制备方法及应用
专利申请号：CN202110825050.3
公 开 号：CN115679275A
代 理 人：卢炳琼
代理机构：上海光华专利事务所(普通合伙)
专利类型：发明专利
申 请 日：20230203
公 开 日：20210721
专利主分类号：C23C14/35
关 键 词：制备 氮化铝压电薄膜 双掺杂 薄膜 掺杂 结合能 磁控溅射技术 第一性原理 化学计量比 单靶溅射 技术手段 交叉区域 压电薄膜 高压电 靶溅射 对设备 靶材 双靶 改装 应用
摘 要：本发明提供一种含碳双掺杂氮化铝压电薄膜、制备方法及应用，通过第一性原理计算，从原子间结合能入手，设计出采用C元素、X元素双掺杂的AlN压电薄膜，不需对设备进行复杂改装，提出了一种高效简单的技术手段；通过磁控溅射技术制备了含碳双掺杂氮化铝压电薄膜，其中，采用双靶或三靶溅射，靶材分开可以精确控制C元素及X元素的掺杂浓度，尽量始终保持1:1的化学计量比，可在交叉区域获得掺杂均匀的薄膜；采用单靶溅射，则操作简便，便于快速实现薄膜的制备；从而本发明可制备出高压电性能的氮化铝压电薄膜。
