用于图像传感器的具有垂直栅极结构的双浮动扩散晶体管

专利申请号：CN202210131886.8

公 开 号：CN115207006B

发 明 人：臧辉 陈刚 

代 理 人：北京律盟知识产权代理有限责任公司刘媛媛

代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20230331

公 开 日：20220214

专利主分类号：H01L27/146

关 键 词：浮动扩散部 衬底 晶体管 光电二极管 垂直栅极 半导体 电容器 平面栅极 耦合电容 双浮动 安置 晶体管耦合 图像传感器 扩散 图像电荷 像素电路 有效电容 耦合 申请案 接通 传送 关联 响应 配置 

摘      要：本申请案涉及用于图像传感器的具有垂直栅极结构的双浮动扩散晶体管。像素电路包含安置于半导体衬底中的光电二极管及浮动扩散部。传送门安置于所述光电二极管与所述浮动扩散部之间以将光生图像电荷从所述光电二极管传送到所述浮动扩散部。双浮动扩散DFD晶体管耦合于所述浮动扩散部与DFD电容器之间。所述DFD晶体管包含DFD栅极，所述DFD栅极包含安置于所述半导体衬底的表面之上的平面栅极部分及从所述平面栅极部分垂直延伸到所述半导体衬底中的垂直栅极部分。所述DFD栅极的所述垂直栅极部分经配置以增加所述DFD晶体管的栅极到衬底耦合电容。所述栅极到衬底耦合电容及所述DFD电容器经耦合以响应于所述DFD晶体管被接通增加与所述浮动扩散部相关联的有效电容。