分裂电容结构逐次逼近模数转换器校准电路及方法

专利申请号：CN202211605143.6

公 开 号：CN115940949A

发 明 人：赵忠武 韩正琪 

代 理 人：合肥天明专利事务所(普通合伙)苗娟

代理机构：合肥天明专利事务所(普通合伙)

专利类型：发明专利

申 请 日：20230407

公 开 日：20221214

专利主分类号：H03M1/10

关 键 词：失配 分裂电容 校准电路 校准 电容阵列 逻辑模块 校准控制 比较器 逐次逼近模数转换器 数字逻辑控制电路 时序 电容结构 电容匹配 电容校准 固有冗余 开关阵列 控制逻辑 数字校准 芯片成本 电容 桥接 输出 引入 节约 

摘      要：本发明的一种分裂电容结构逐次逼近模数转换器校准电路及方法，包括比较器、MSB阵列、LSB阵列、数字逻辑控制电路、分裂电容Cs及CDAC失配校准电路；分裂电容Cs的左右端分别与LSB阵列和MSB阵列相接；CDAC失配校准电路包括CDAC电容阵列和CDAC失配校准控制逻辑模块；CDAC电容阵列一端接LSB阵列；CDAC失配校准控制逻辑模块根据所述的比较器的输出，产生控制逻辑控制CDAC阵列中的开关阵列。本发明采用桥接电容结构引入的固有冗余电容作为校准DAC，合理的选择DAC精度和校准范围，结合校准时序，完成对MSB的电容匹配误差进行数字校准，不再需要额外的电容校准阵列，节约芯片成本。