半导体器件

专利申请号：CN201711200350.2

公 开 号：CN108091689B

发 明 人：斯特凡·伯格伦德 森克·哈贝尼希特 斯特芬·霍兰 提姆·伯切尔 

代 理 人：北京天昊联合知识产权代理有限公司顾丽波;张娜

代理机构：北京天昊联合知识产权代理有限公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20230516

公 开 日：20171121

专利主分类号：H01L29/417

关 键 词：导电 电连接 主表面 集电极端子 集电极区域 衬底 半导体 双极型晶体管 基极区域 电阻 邻近 半导体器件 发射极区域 背表面 安置 外部 制造 

摘      要：一种半导体器件及其制造方法。该器件包括具有主表面和背表面的半导体衬底。该器件还包括双极型晶体管。该双极型晶体管包括：集电极区域，位于半导体衬底中；基极区域，位于集电极区域内且邻近主表面安置；发射极区域，位于基极区域内且邻近主表面安置；以及集电极端子，位于半导体衬底的主表面上。该集电极端子包括：第一导电部分，电连接至集电极区域；电阻部分，电连接至第一导电部分；以及第二导电部分，用于允许与集电极端子进行外部电连接。第二导电部分经由电阻部分电连接至第一导电部分。