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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
半导体器件
专利申请号：CN202211423374.5
公 开 号：CN116130506A
发 明 人：C·谢弗 P·哈内坎普 O·洪贝尔 A·科普罗斯基 W·莱纳特 F·J·桑托斯罗德里格斯
代 理 人：刘茜璐;吕传奇
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
专利类型：发明专利
申 请 日：20230516
公 开 日：20221115
专利主分类号：H01L29/06
关 键 词：半导体器件 保形 边缘终端区 金属特征 离子扩散 器件区 阻挡层 化学保护层
摘 要：提供了一种半导体器件和形成半导体器件的方法。在一个实施例中，半导体器件包括器件区、围绕器件区的边缘终端区、边缘终端区中的第一金属特征、第一金属特征之上的第一保形离子扩散阻挡层、以及第一保形离子扩散阻挡层之上的第一保形化学保护层。
