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读写辅助电路及静态随机访问存储器

读写辅助电路及静态随机访问存储器

专利申请号:CN202310108362.1

公 开 号:CN116110459A

发 明 人:乔树山 赵鹏远 尹佳璐 赵慧冬 

代 理 人:中科专利商标代理有限责任公司周天宇

代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

专利类型:发明专利

申 请 日:20230512

公 开 日:20230201

专利主分类号:G11C11/419

关 键 词:晶体管 晶体管电容 辅助电路 读写 极板 充电 电源 静态随机访问存储器 晶体管导通 存储阵列 导通 关断 抬高 

摘      要:本公开提供一种读写辅助电路及静态随机访问存储器,读写辅助电路包括:相互连接的第一晶体管和第三晶体管,相互连接的第二晶体管和第四晶体管;晶体管电容;以及第五晶体管;其中,第一晶体管和第三晶体管分别与晶体管电容的第一极板相连接,第二晶体管和第四晶体管分别与晶体管电容的第二极板相连接;第一晶体管和第二晶体管分别与电源相连接;第三晶体管和第四晶体管分别与第五晶体管相连接;第一晶体管和第二晶体管不同时导通,以使得在第五晶体管关断时,电源对晶体管电容充电;以及在第五晶体管导通时,经过充电的晶体管电容抬高或拉低存储阵列的电压。

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