用于分析等离子体处理的装置中的两阶段离子电流测量

专利申请号：CN202211172028.4

公 开 号：CN116106964A

发 明 人：D·加恩 J·列侬 P·斯卡林 J·道尔 

代 理 人：金辉

代理机构：深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙)

专利类型：发明专利

申 请 日：20230512

公 开 日：20220926

专利主分类号：G01T1/36

关 键 词：高电压生成电路 高电压开关 衬底 等离子体处理系统 离子能量分析器 导电栅极 离子能量 绝缘层 等离子体 等离子体处理 操作装置 衬底表面 电压施加 分布测量 收集电极 输出电压 电阻器 分析器 并联 放电 浮地 隔开 配置 测量 电池 供电 暴露 

摘      要：一种操作装置以获得等离子体处理系统中的离子能量分布测量的方法，其包括提供用于放置在等离子体处理系统中并暴露于等离子体的衬底，衬底具有设置在其中的离子能量分析器，所述离子能量分析器用于在等离子体处理期间测量衬底表面的离子能量分布，分析器包括多个导电栅极和收集电极，每个栅极由绝缘层隔开；在衬底内提供高电压生成电路，所述高电压生成电路配置为获取电池的输出电压以向高电压生成电路供电，并且将电压施加到多个导电栅极中的第一栅极；提供高电压开关以及与高电压开关并联的电阻器，所述高电压开关配置为将第一栅极放电至装置的浮地。