集成太阳能电池和CMOS电路的光电探测器及制造方法

专利申请号：CN202211661699.7

公 开 号：CN116031265A

发 明 人：杨荣 余明斌 

代 理 人：成都九鼎天元知识产权代理有限公司孙元伟

代理机构：成都九鼎天元知识产权代理有限公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20230428

公 开 日：20221223

专利主分类号：H01L27/144

关 键 词：光电探测器 硅衬底 探测器 集成太阳能电池 硅太阳能电池 氧化层 掺杂 晶硅太阳能电池 电极接触区 浅沟槽隔离 探测器区域 处理信号 光接收器 金属连线 连接电极 外部电源 信号转变 选择性硅 工艺流程 源漏区 嵌入 制造 电源 放大 成熟 吸收 制作 

摘      要：本发明公开了一种集成太阳能电池和CMOS电路的光电探测器及制造方法，该光电探测器包括由下至上的硅衬底和氧化层；其中，所述硅衬底和所述氧化层包括CMOS集成电路区域、探测器区域和硅太阳能电池区域。本发明通过修改硅衬底上浅沟槽隔离的成熟CMOS工艺流程，嵌入选择性硅、锗外延制作硅、锗探测器，并利用CMOS源漏区掺杂充当晶硅太阳能电池的电极接触区掺杂，通过金属连线连接电极。硅太阳能电池为探测器和CMOS电路提供电源，探测器将吸收的光信号转变为电信号，经过CMOS电路放大和处理信号，实现完整的光接收器功能，并独立于外部电源工作。本发明解决了目前集成太阳能电池和/或CMOS电路的光电探测器制造难度大、成本高的问题。