铜掺杂碳化硅复合吸波材料的制备方法

专利申请号：CN202211587781.X

公 开 号：CN116161664A

发 明 人：黄文欢 宋明 卢兴 康祎璠 张亚男 杨雨豪 赵宁 

代 理 人：王丹

代理机构：西安弘理专利事务所

专利类型：发明专利

申 请 日：20230526

公 开 日：20221205

专利主分类号：C01B32/963

关 键 词：碳化硅复合 有效吸收 前驱体 铜掺杂 带宽 有机金属框架材料 水热法合成 盐酸多巴胺 反射损耗 化学组成 晶态金属 碳化处理 吸波材料 阴离子型 有机框架 聚合物 多巴胺 双金属 碳材料 再利用 调控 包覆 晶态 铜硅 杂化 覆盖 制备 合成 

摘      要：本发明公开了铜掺杂碳化硅复合吸波材料的制备方法，首先利用水热法合成了阴离子型有机金属框架材料，首先通过加热回流合成含有铜硅双金属的杂化晶态金属有机框架，再利用盐酸多巴胺PDA对材料进行包覆；通过调控多巴胺等物质的比例，实现聚合物晶态前驱体化学组成的调控，进一步将前驱体在900℃的高温下进行碳化处理，得到铜掺杂碳化硅复合碳材料。该材料在2.5mm时，反射损耗值达到‑43dB。在2.0mm时，有效吸收带宽为11.52GHz～17.92GHz，覆盖了整个Ku波段和部分X波段。在2.05mm时，有效吸收带宽为9.12GHz～14.75GHz，覆盖了整个X波段和部分Ku波段。