咨询与建议

看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >半导体存储装置 收藏
半导体存储装置

半导体存储装置

专利申请号:CN202211309985.7

公 开 号:CN116230059A

发 明 人:泷泽哲郎 

代 理 人:永新专利商标代理有限公司王永建

代理机构:永新专利商标代理有限公司

专利类型:发明专利

申 请 日:20230606

公 开 日:20221025

专利主分类号:G11C29/42

关 键 词:错误纠正 存储体 错误纠正单元 计数器 错误纠正码 低位计数器 列计数器 半导体存储装置 数据存储单元 存储体地址 存储单元 低位地址 目标地址 生成单元 数据执行 列地址 

摘      要:一种半导体存储装置(100),包括:多个存储体(10),其具有数据存储单元(20)和错误纠正码存储单元(30);错误纠正码生成单元(40);错误纠正单元(50);将低位地址确定为刷新目标的低位计数器(61);将存储体地址确定为错误纠正目标的存储体计数器(63);以及将列地址确定为错误纠正目标的列计数器(62)。当接收到刷新命令时,错误纠正单元对基于低位计数器、存储体计数器和列计数器确定的错误纠正目标地址的数据执行错误纠正处理。

读者评论 与其他读者分享你的观点

用户名:未登录
我的评分