模拟复杂电磁环境的高压双指数波脉冲源生成方法

专利申请号：CN201811317435.3

公 开 号：CN109495089B

发 明 人：寇科男 王黎 李昆 常永明 戴弃军 高昕 贾文静 刘冬 金晗冰 

代 理 人：中国兵器工业集团公司专利中心周恒

代理机构：中国兵器工业集团公司专利中心

专利类型：发明专利

申 请 日：20230602

公 开 日：20181107

专利主分类号：H03K3/55

关 键 词：指数波 电子系统 强电磁脉冲 放电电容 放电回路 脉冲信号 脉冲源 水电阻 验证 充电限流电阻 电磁脉冲效应 复杂电磁环境 脉冲电流注入 储能电容 低频直流 电容放电 发生装置 防护性能 高频成份 寄生阻抗 脉冲电流 气动高压 生成装置 直流高压 高电压 注入源 试验 分析 

摘      要：本发明属于强电磁脉冲技术领域，具体涉及一种模拟复杂电磁环境下的高压双指数波脉冲源生成方法，该方法基于生成装置来实施，所述装置包括：直流高压发生装置、充电限流电阻、储能电容、气动高压开关、水电阻和放电电容；其中，为放电回路中的寄生阻抗，与水电阻、放电电容一起构成放电回路；本发明技术方案采用高电压等级的电容放电双指数波脉冲源方案，产生具有丰富的高频成份及低频直流成分的高压双指数波脉冲信号。高压双指数波脉冲信号作为注入源向电子系统注入不同参数的脉冲电流，验证电子系统的电磁脉冲效应分析情况，对电子系统各端口的毁伤电流阈值进行摸底；强电磁脉冲加固后，通过脉冲电流注入试验验证加固后的防护性能。