异质结双极晶体管结构及其形成方法

专利申请号：CN202310503408.X

公 开 号：CN116230758A

发 明 人：邹道华 高谷信一郎 刘昱玮 陈俊奇 

代 理 人：北京集佳知识产权代理有限公司张瑞

代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20230606

公 开 日：20230506

专利主分类号：H01L29/737

关 键 词：集电层 电极 发射层 基层 减小 钝化结构 提升器件 基底 异质结双极晶体管结构 半导体制造技术 寄生电容 电连接 指部 

摘      要：一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，涉及半导体制造技术领域，其中结构包括：基底；位于基底上的集电层、基层及若干发射层；位于发射层上的发射层电极；位于集电层部分表面、基层部分表面、发射层表面和发射层电极部分表面的钝化结构；基层电极，包括端部、若干指部和若干连接部，端部位于集电层上的钝化结构上；位于集电层上的若干集电层电极，集电层电极与集电层电连接。基层电极的端部位于集电层上方，可以有效减小基层的面积，进而减小基层与集电层之间形成的PN结的面积，减小形成的寄生电容，提升器件结构的性能。另外，由于基层中去除了为基层电极的端部提供放置且不能够贡献电流的部分，能够有效提升器件结构的利用效率。