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一种抗电磁干扰的集成硅基光接收芯片及其制备方法

一种抗电磁干扰的集成硅基光接收芯片及其制备方法

专利申请号:CN202310155169.3

公 开 号:CN116259609A

发 明 人:武爱民 吴龙生 冯大增 

代 理 人:上海泰博知识产权代理有限公司魏峯

代理机构:上海泰博知识产权代理有限公司

专利类型:发明专利

申 请 日:20230613

公 开 日:20230223

专利主分类号:H01L23/552

关 键 词:探测器阵列 光接收 电磁屏蔽 探测器 硅基 芯片 抗电磁干扰能力 抗电磁干扰 相邻探测器 高集成度 市场应用 芯片设计 光波导 光口 制备 外围 

摘      要:本发明涉及一种抗电磁干扰的集成硅基光接收芯片及其制备方法,所述光接收芯片设置有探测器阵列、光波导和光口;所述探测器阵列中的探测器的外围均设置有U型电磁屏蔽环。本发明的U型电磁屏蔽环极大增强了探测器的抗电磁干扰能力,使得探测器阵列中的相邻探测器距离可以进一步缩小,实现更高集成度的硅基光接收芯片设计,具有良好的市场应用前景。

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