晶圆级腔体式封装结构及其制备方法

专利申请号：CN202310314044.0

公 开 号：CN116281844A

发 明 人：肖克来提 

代 理 人：贺妮妮

代理机构：上海光华专利事务所(普通合伙)

专利类型：发明专利

申 请 日：20230623

公 开 日：20230328

专利主分类号：B81C1/00

关 键 词：晶圆 可伐 盲腔 键合金属层 合金 芯片 制备 盖板 减薄 表面形成 产品良率 封装结构 合金材料 晶圆表面 屏蔽性能 真空腔体 腔体式 散热性 真空腔 键合 刻蚀 预设 种晶 体内 延伸 

摘      要：本发明提供一种晶圆级腔体式封装结构及其制备方法，该制备方法包括：提供可伐合金晶圆，并对其进行减薄至预设厚度；于减薄后的可伐合金晶圆表面形成至少一个沿其厚度方向延伸的盲腔，相邻两盲腔之间形成为可伐合金墙；提供表面形成有键合金属层的芯片晶圆，并将键合金属层与可伐合金墙键合，以使盲腔与芯片晶圆之间形成为真空腔体，且该真空腔体内的芯片晶圆上设置有芯片。以可伐合金材料作为盖板晶圆，可直接刻蚀形成盲腔，避免在盖板晶圆上制备键合金属层的过程，工艺简单且成本低廉，还能明显提高产品屏蔽性能和散热性，提高产品良率。