微处理器总剂量效应和瞬时剂量率效应的建模仿真方法

专利申请号：CN202310332208.2

公 开 号：CN116362173A

发 明 人：刘锦辉 梁博 柳逸扬 王锐 张嘉伟 王恩泽 

代 理 人：王品华

代理机构：陕西电子工业专利中心

专利类型：发明专利

申 请 日：20230630

公 开 日：20230330

专利主分类号：G06F30/3308

关 键 词：微处理器 剂量率 总剂量效应 数字器件 效应模型 仿真模型系统 内部电路结构 测量电路板 测量原理 仿真效率 辐照条件 辐照效应 建模仿真 逻辑功能 模型支持 物理模型 系统仿真 测量板 复杂度 光电流 可用 

摘      要：本发明公开了一种微处理器总剂量效应和瞬时剂量率效应的建模仿真方法，主要解决现有技术微处理器物理模型复杂度高，仿真效率低的问题。其实现方案是：根据IBIS模型测量原理和微处理器的内部电路结构，设计微处理器的IBIS模型测量板；利用测量电路板测得微处理器IBIS模型数据，并建立微处理器总剂量效应FuncIBS模型；对该微处理器总剂量效应模型FuncIBS进行仿真；通过剂量率实验获取微处理器光电流数据，建立微处理器瞬时剂量率效应模型；对该微处理器瞬时剂量率效应模型进行仿真。本发明建立的模型既能反映微处理器数字器件的逻辑功能，又能为在辐照条件下进行系统仿真提供模型支持，可用于数字器件辐照效应仿真模型系统。