一种基于超表面的近场表面波面内波前调控器件

专利申请号：CN202310020872.3

公 开 号：CN116345172A

发 明 人：孙树林 潘威康 王卓 何琼 周磊 

代 理 人：陆飞;陆尤

代理机构：上海正旦专利代理有限公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20230627

公 开 日：20230106

专利主分类号：H01Q15/00

关 键 词：表面波 本征 调控器件 表面技术 传统器件 工作频率 工作特性 几何相位 介质薄膜 金属薄膜 理论设计 器件中心 区域传输 区域拼接 双层结构 相位分布 效率低等 旋转对称 旋转方位 重新构建 多模式 微结构 位置处 亚波长 频段 波面 波源 近场 宽频 传输 辐射 调控 

摘      要：本发明属于电磁超表面技术领域，具体为一种基于超表面的近场表面波面内波前调控器件。本发明调控器件由几何相位超表面和表面波本征区域拼接组成。超表面区域由具有二重旋转对称人工超构单元组成，通过设计其几何尺寸和旋转方位角度，实现理论设计的辐射相位分布；本征区域是由介质薄膜和金属薄膜组成的双层结构；该器件中心工作频率为12GHz,具有宽频工作特性，并且可以推广到其他频段。当表面波从本征区域传输至超表面区域时，不同位置处的人工微结构作为次波源在近场面内重新构建出具有任意复杂波前分布的表面波，解决了传统器件在近场面内传输调控中存在的大体积、非亚波长、多模式、效率低等难题。