结型场效应管器件及其形成方法

专利申请号：CN202111166261.7

公 开 号：CN113921592B

发 明 人：蔡莹 金锋 

代 理 人：北京集佳知识产权代理有限公司唐嘉

代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20230630

公 开 日：20210930

专利主分类号：H01L29/06

关 键 词：离子 深阱区 子阱 第一导电类型 导电类型 梯度分布 场氧层 阱区 结型场效应管器件 击穿电压稳定性 表面形成 掺杂离子 电场降低 可靠性能 第一区 衬底 深阱 

摘      要：一种结型场效应管器件及其形成方法，其中方法包括：在所述衬底内形成深阱区，所述深阱区具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，且位于所述第二区内的深阱区包括至少两个第一子阱区，在沿所述第一方向上，各所述第一子阱区的掺杂离子具有自第一离子浓度值向第二离子浓度值的梯度分布，或具有自第二离子浓度值向第一离子浓度值的梯度分布，所述第二离子浓度低值于所述第一离子浓度值；在所述第一区的深阱区表面形成场氧层；在所述第二区的深阱区内形成第一阱区，所述第一阱区具有第一导电类型，各所述第一子阱区可以使器件的场氧层附近的电场降低，进而提高器件的击穿电压稳定性，提高器件的可靠性能。