一种FinFET纳米器件的自热效应温升计算方法

专利申请号：CN202310381472.5

公 开 号：CN116432567A

发 明 人：梁华国 汪月 鲁迎春 肖远 章宏 易茂祥 黄正峰 

代 理 人：陆丽莉;何梅生

代理机构：安徽省合肥新安专利代理有限责任公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20230714

公 开 日：20230411

专利主分类号：G06F30/30

关 键 词：自热效应 纳米器件 关系模型 特性曲线 温升计算 输出 特性参数 特性仿真 先进工艺 栅极电压 变化量 

摘      要：本发明公开了一种FinFET纳米器件的自热效应温升计算方法，是用于表征纳米器件的自热效应，其步骤包括：1、设定不同温度对FinFET进行特性仿真，输出I‑V特性曲线，并计算不同温度T下I‑V特性曲线所对应的FinFET器件参数gm；2、根据步骤1的结果建立温度T与输出跨导gm相对于环境温度27℃下的跨导变化量△gm、栅极电压VGS的关系模型；3、根据关系模型中的温度T得到FinFET纳米器件的自热效应温升值。本发明采用FinFET纳米器件自身特性参数输出跨导gm与温度T间关系进行自热效应的温升计算，能对FinFET器件的自热效应进行表征，从而解决先进工艺下纳米器件自热效应表征难问题。