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半导体装置的内连结构与其形成方法
专利申请号：CN201710983975.4
公 开 号：CN109216262B
代 理 人：北京律诚同业知识产权代理有限公司徐金国
代理机构：北京律诚同业知识产权代理有限公司
专利类型：发明专利
申 请 日：20230714
公 开 日：20171020
专利主分类号：H01L21/768
关 键 词：导电材料层 介层窗 内连结构 重叠区域 沟渠 半导体装置 接触阻抗
摘 要：本揭露提供一种半导体装置的内连结构。内连结构包含介层窗、与介层窗顶部具有重叠区域的沟渠，以及与介层窗底部具有重叠区域的第一导电材料层。内连结构也可包括形成于介层窗中的第二导电材料层，以及形成于沟渠中的第三导电材料层。第二导电材料层接触第一导电材料层，且二个导电材料层之间没有阻障。介层窗底部缺少阻障可减少内连结构的接触阻抗。
