版权所有：内蒙古大学图书馆 技术提供：维普资讯• 智图
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
抑制多源多类干扰的硅单晶生长复合抗干扰控制方法
专利申请号：CN202310342949.9
公 开 号：CN116516464A
发 明 人：李艳恺 刘丁 王青榆 历东平 穆凌霞 黄伟超 陈晨 任彪
代 理 人：许志蛟
代理机构：西安弘理专利事务所
专利类型：发明专利
申 请 日：20230801
公 开 日：20230331
专利主分类号：C30B15/20
关 键 词：硅单晶生长 硅单晶生长过程 抗干扰 复合 矩阵 抗干扰控制器 线性系统模型 干扰观测器 控制器增益 状态观测器 步骤实施 复合输出 控制策略 控制系统 控制效果 观测器 低阶 多源 拉晶 混杂 测量 反馈
摘 要：本发明公开了一种抑制多源多类干扰的硅单晶生长复合抗干扰控制方法，具体按照以下步骤实施：步骤1、建立硅单晶生长过程低阶线性系统模型；步骤2、利用状态观测器和两种类型干扰观测器，设计复合输出反馈抗干扰控制器；步骤3、硅单晶生长控制系统获取相应的观测器和控制器增益矩阵，得到复合抗干扰控制策略。本发明解决了现有技术中存在的硅单晶生长过程往往混杂着大量测量干扰，以至于一些经典的硅单晶生长控制方案在实际拉晶过程中无法实现预期控制效果的问题。
