一种高阻值多晶硅电阻的制造方法

专利申请号：CN202310582848.9

公 开 号：CN116564944A

发 明 人：郑书红 王乐平 

代 理 人：上海浦一知识产权代理有限公司王关根

代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20230808

公 开 日：20230523

专利主分类号：H01L23/64

关 键 词：多晶硅 多晶硅电阻 牺牲氧化层 衬底 半导体 半导体衬底表面 沉积 去除 电阻均匀性 多晶硅表面 刻蚀阻挡层 区域表面 应力调整 源/漏区 低功率 高阻区 均匀性 高阻 刻蚀 良率 离子 损伤 制造 

摘      要：本发明提供一种高阻值多晶硅电阻的制造方法，包括提供半导体衬底，该半导体衬底包括PMOS区、NMOS区和多晶硅高阻区，在半导体衬底的多晶硅高阻区内形成高阻值多晶硅；在半导体衬底表面沉积牺牲氧化层；刻蚀去除NMOS区内预定形成源/漏区的区域表面的牺牲氧化层，然后进行离子注入；采用低功率过刻工艺去除剩余的牺牲氧化层；在半导体衬底表面沉积应力刻蚀阻挡层，并进行应力调整。本发明在高阻值多晶硅形成时，通过减少高阻值多晶硅表面的损伤，同时调整应力，获得了电阻均匀性极好的高阻值多晶硅，解决了高阻值多晶硅电阻面内波动较大的问题，改善了高阻值多晶硅电阻的均匀性，提高了器件良率。