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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
专利申请号:CN202310559308.9
公 开 号:CN116594091A
代 理 人:上海泰博知识产权代理有限公司魏峯
代理机构:上海泰博知识产权代理有限公司
专利类型:发明专利
申 请 日:20230815
公 开 日:20230518
专利主分类号:G02B5/00
关 键 词:共振频率 金属光栅 表面等离激元 等离子激元 底层介质层 顶层介质层 导模共振 光栅阵列 介质光栅 器件结构 三明治型 市场应用 微纳结构 耦合 光吸收 强吸收 有效地 波导 硅基 近场 优化 应用
摘 要:本发明涉及一种硅基光吸收器件及其应用,包括底层介质层、金属光栅和顶层介质层组成的三明治型导模共振强吸收结构。本发明的器件结构具有如下优势:(1)微纳结构周围的近场极其接近表面的等离子激元的共振频率;(2)光栅阵列的优化使得介质光栅支持波导的有效耦合。在表面等离激元共振频率附近,这些金属光栅阵列可以有效地集中光线,具有良好的市场应用前景。