一种MEMS传感器的制作方法

专利申请号：CN202310491694.2

公 开 号：CN116621113A

发 明 人：陶虎 李晓辉 秦楠 

代 理 人：上海智信专利代理有限公司杨怡清

代理机构：上海智信专利代理有限公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20230822

公 开 日：20230504

专利主分类号：B81C1/00

关 键 词：腐蚀 牺牲层 释放孔 氮化硅 沉积 隔离层 结构层 硅片 凸台 多晶硅填充 腐蚀传感器 多层材料 二氧化硅 硅片清洗 敏感膜片 器件损坏 气体透过 成品率 低应力 多晶硅 封堵层 封堵 烘干 刻蚀 制作 观察 

摘      要：本发明提供一种MEMS传感器的制作方法，包括：在硅片上沉积一层隔离层；利用多晶硅在隔离层上制作得到凸台和腐蚀引线，作为牺牲层；在具有牺牲层的硅片上沉积一层低应力氮化硅，作为结构层和敏感膜片；刻蚀得到腐蚀释放孔；使XeF2气体透过腐蚀释放孔对牺牲层进行腐蚀，在观察到凸台的颜色全部变化时停止腐蚀，将硅片清洗干净并烘干；在腐蚀释放孔处沉积氮化硅‑二氧化硅‑氮化硅多层材料，得到封堵层，来封堵所述腐蚀释放孔。本发明的方法采用多晶硅填充作为牺牲层，并且采用XeF2对牺牲层进行腐蚀，速率更快更容易控制，而且也不会因腐蚀传感器结构层等其他部分而导致器件损坏，提高了器件的成品率。