集成电路单元及包括该集成电路单元的电子设备

专利申请号：CN202010840234.2

公 开 号：CN111755443B

发 明 人：朱慧珑 朱正勇 

代 理 人：中科专利商标代理有限责任公司倪斌

代理机构：中科专利商标代理有限责任公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20230815

公 开 日：20170630

专利主分类号：H01L27/088

关 键 词：源/漏层 沟道层 集成电路单元 栅堆叠 外周 半导体材料 彼此分离 电子设备 一体延伸 衬底 叠置 交迭 

摘      要：公开了一种集成电路单元及包括该集成电路单元的电子设备。根据实施例，集成电路单元可以包括：依次叠置在衬底上的用于第一器件的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层以及用于第二器件的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，在第一器件中，沟道层包括彼此分离的第一部分和第二部分，第一源/漏层和第二源/漏层分别一体延伸且与沟道层的第一部分和第二部分二者交迭；绕第一器件的沟道层的第一部分和第二部分的外周形成的第一栅堆叠；以及绕第二器件的沟道层的外周形成的第二栅堆叠，其中，各源/漏层和沟道层中至少一对相邻的层的上下的半导体材料不同。