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单层羧基氧化石墨烯表面垂直生长纳米铋的薄膜电极、制备方法

单层羧基氧化石墨烯表面垂直生长纳米铋的薄膜电极、制备方法

专利申请号:CN202310629169.2

公 开 号:CN116626129A

发 明 人:贾瑛 史梦琳 吕晓猛 沈可可 金国锋 黄远征 苏军 张吉庆 

代 理 人:西安通大专利代理有限责任公司范巍

代理机构:西安通大专利代理有限责任公司

专利类型:发明专利

申 请 日:20230822

公 开 日:20230530

专利主分类号:G01N27/30

关 键 词:氧化石墨烯 单层 羧基 五水合硝酸铋 电化学检测 薄膜电极 表面垂直 工作电极 纳米铋 前驱液 乙二醇 电化学沉积 玻碳电极 导电玻璃 复合薄膜 偏二甲肼 生长 超纯水 复合物 恒电位 制备 冲洗 

摘      要:本发明提供单层羧基氧化石墨烯表面垂直生长纳米铋的薄膜电极、制备方法,所述方法将五水合硝酸铋粉末溶于超纯水和乙二醇中,五水合硝酸铋粉末和乙二醇的比例为(0.1~0.5)mol:(70~350)mL,之后搅拌,得到前驱液;将单层羧基氧化石墨烯/玻碳电极或者单层羧基氧化石墨烯/导电玻璃作为工作电极,插入到前驱液中,以‑0.25~‑0.15V的条件进行恒电位电化学沉积,工作电极上形成复合薄膜;将复合物冲洗后再进行干燥,得到单层羧基氧化石墨烯表面垂直生长纳米铋的薄膜电极,具有良好的电化学检测性能,能够用于快速的电化学检测偏二甲肼。

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