单层羧基氧化石墨烯表面垂直生长纳米铋的薄膜电极、制备方法

专利申请号：CN202310629169.2

公 开 号：CN116626129A

发 明 人：贾瑛 史梦琳 吕晓猛 沈可可 金国锋 黄远征 苏军 张吉庆 

代 理 人：西安通大专利代理有限责任公司范巍

代理机构：西安通大专利代理有限责任公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20230822

公 开 日：20230530

专利主分类号：G01N27/30

关 键 词：氧化石墨烯 单层 羧基 五水合硝酸铋 电化学检测 薄膜电极 表面垂直 工作电极 纳米铋 前驱液 乙二醇 电化学沉积 玻碳电极 导电玻璃 复合薄膜 偏二甲肼 生长 超纯水 复合物 恒电位 制备 冲洗 

摘      要：本发明提供单层羧基氧化石墨烯表面垂直生长纳米铋的薄膜电极、制备方法，所述方法将五水合硝酸铋粉末溶于超纯水和乙二醇中，五水合硝酸铋粉末和乙二醇的比例为(0.1～0.5)mol：(70～350)mL，之后搅拌，得到前驱液；将单层羧基氧化石墨烯/玻碳电极或者单层羧基氧化石墨烯/导电玻璃作为工作电极，插入到前驱液中，以‑0.25～‑0.15V的条件进行恒电位电化学沉积，工作电极上形成复合薄膜；将复合物冲洗后再进行干燥，得到单层羧基氧化石墨烯表面垂直生长纳米铋的薄膜电极，具有良好的电化学检测性能，能够用于快速的电化学检测偏二甲肼。