二极管及其制造方法

专利申请号：CN202110459130.1

公 开 号：CN113161426B

发 明 人：王雷 

代 理 人：上海浦一知识产权代理有限公司郭四华

代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20230822

公 开 日：20210427

专利主分类号：H01L29/861

关 键 词：掺杂区 注入层 激活 第一导电类型 退火 二极管 掺杂类型 半导体衬底表面 导电类型 横向接触 控制器件 器件性能 杂质注入 掺杂的 掺杂 制造 

摘      要：本发明公开了一种二极管的制造方法，二极管的横向接触的第一掺杂区和第二掺杂区的形成步骤包括：步骤一、在半导体衬底表面上形成第二导电类型的第三掺杂区；步骤二、进行第一导电类型杂质注入在第三掺杂区中形成第一注入层；步骤三、对第一掺杂区的形成区域中的所述第一注入层的杂质进行选择性退火激活，第一掺杂区的形成区域外的所述第一注入层的杂质未被退火激活；第一掺杂区中，激活后的第一注入层的杂质浓度大于第三掺杂区的杂质浓度并形成净掺杂为第一导电类型掺杂的所述第一掺杂区；第二掺杂区中包括第一注入层的未被激活杂质，第二掺杂区的掺杂类型由第三掺杂区掺杂类型确定。本发明能精确控制器件尺寸并提高器件性能，还能降低成本。