半导体器件结构及其形成方法

专利申请号：CN202310306045.0

公 开 号：CN116632005A

发 明 人：张正伟 沙哈吉·B·摩尔 周其雨 白岳青 

代 理 人：北京德恒律治知识产权代理有限公司章社杲;李伟

代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20230822

公 开 日：20230327

专利主分类号：H01L27/092

关 键 词：介电层 掺杂剂区域 界面层 半导体器件结构 半导体层 功函 掺杂剂 金属 极性相反 申请 

摘      要：提供了半导体器件结构。半导体器件结构包括一个或多个半导体层、围绕一个或多个半导体层中的至少一个半导体层的界面层、设置在界面层上方的功函金属以及设置在界面层和功函金属之间的高K(HK)介电层。HK介电层包括与HK介电层和界面层的第一界面相邻的第一掺杂剂区域，其中，第一掺杂剂区域包括具有第一极性的第一掺杂剂。HK介电层也包括与HK介电层和功函金属的第二界面相邻的第二掺杂剂区域，其中，第二掺杂剂区域包括具有与第一极性相反的第二极性的第二掺杂剂。本申请的实施例还涉及用于形成半导体器件结构的方法。