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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
专利申请号:CN202310732219.X
公 开 号:CN116633304A
代 理 人:郑华洁
代理机构:广州三环专利商标代理有限公司
专利类型:发明专利
申 请 日:20230822
公 开 日:20230619
专利主分类号:H03H9/02
关 键 词:多边形空腔 衬底 声学谐振器 压电薄膜层 刻蚀 通孔 支撑 机械性能 半导体技术领域 滤波器 单晶硅 叉指电极 依次设置 电学 晶向 周面 制备 连通 申请
摘 要:本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种声学谐振器及其制备方法、滤波器。该声学谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、压电薄膜层和叉指电极结构,支撑衬底内设有多边形空腔;支撑衬底为{111}单晶硅衬底;多边形空腔的周面包括硅晶向;压电薄膜层靠近多边形空腔,且压电薄膜层设有多个刻蚀通孔,多个刻蚀通孔与多边形空腔连通。本申请提供的该声学谐振器具有优异的电学和机械性能。