一种氮化镓HEMT器件及其制备方法

专利申请号：CN202310737349.2

公 开 号：CN116598203A

发 明 人：伊艾伦 欧欣 周民 

代 理 人：广州三环专利商标代理有限公司郑华洁

代理机构：广州三环专利商标代理有限公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20230815

公 开 日：20230620

专利主分类号：H01L21/335

关 键 词：衬底 碳化硅 氮化镓HEMT器件 复合 制备 反型掺杂 离子 缺陷层 绝缘层 表面形成 绝缘处理 直接键合 预设 剥离 

摘      要：本公开涉及一种氮化镓HEMT器件及其制备方法，该方法包括：对第一碳化硅衬底进行离子注入，在预设深度形成缺陷层，得到离子注入后的第一碳化硅衬底；对离子注入后的第一碳化硅衬底的表面进行反型掺杂，在表面形成第一绝缘层，得到反型掺杂后的第一碳化硅衬底；获取第二碳化硅衬底；将第二碳化硅衬底与反型掺杂后的第一碳化硅衬底进行直接键合，得到第一复合衬底；沿缺陷层对第一复合衬底进行剥离，得到第二复合衬底；对第二复合衬底的表面进行绝缘处理，得到处理后的第二复合衬底；基于处理后的第二复合衬底的制备得到氮化镓HEMT器件。本公开的氮化镓HEMT器件制备方法，不仅可以降低制备成本，还可以扩大氮化镓HEMT器件的尺寸。