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异质结双极晶体管结构及其形成方法

异质结双极晶体管结构及其形成方法

专利申请号:CN202310538718.5

公 开 号:CN116631982A

发 明 人:邹道华 高谷信一郎 刘昱玮 陈俊奇 

代 理 人:北京集佳知识产权代理有限公司张瑞

代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司

专利类型:发明专利

申 请 日:20230822

公 开 日:20230512

专利主分类号:H01L23/538

关 键 词:互连金属层 基层 减小 电极 集电层 集电极 钝化结构 发射电极 提升器件 发射层 基底 制程 异质结双极晶体管结构 寄生电容 接触电阻 电连接 金属 暴露 

摘      要:一种异质结双极晶体管结构及其形成方法,其中结构包括:基底;位于基底上的集电层、基层和若干发射层;位于发射层上的发射电极;位于集电层上的集电极;钝化结构,钝化结构暴露出发射电极的部分表面、集电极的部分表面、基层的部分表面;互连金属层,互连金属层分别与发射电极、基层和集电极电连接。互连金属层直接将基层引出,省去了基层电极,可以有效减小基层的面积,进而减小基层与集电层之间形成的PN结的面积,减小形成的寄生电容,提升器件结构的性能及有效提升器件结构的利用效率。由于互连金属层的金属厚度较大,能够有效减小所述基层的接触电阻。省去了基层电极,能够有效简化工艺制程,提高制程效率。

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