异质结双极晶体管结构及其形成方法

专利申请号：CN202310538718.5

公 开 号：CN116631982A

发 明 人：邹道华 高谷信一郎 刘昱玮 陈俊奇 

代 理 人：北京集佳知识产权代理有限公司张瑞

代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20230822

公 开 日：20230512

专利主分类号：H01L23/538

关 键 词：互连金属层 基层 减小 电极 集电层 集电极 钝化结构 发射电极 提升器件 发射层 基底 制程 异质结双极晶体管结构 寄生电容 接触电阻 电连接 金属 暴露 

摘      要：一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，其中结构包括：基底；位于基底上的集电层、基层和若干发射层；位于发射层上的发射电极；位于集电层上的集电极；钝化结构，钝化结构暴露出发射电极的部分表面、集电极的部分表面、基层的部分表面；互连金属层，互连金属层分别与发射电极、基层和集电极电连接。互连金属层直接将基层引出，省去了基层电极，可以有效减小基层的面积，进而减小基层与集电层之间形成的PN结的面积，减小形成的寄生电容，提升器件结构的性能及有效提升器件结构的利用效率。由于互连金属层的金属厚度较大，能够有效减小所述基层的接触电阻。省去了基层电极，能够有效简化工艺制程，提高制程效率。