一种碳化硅场效应管的制备方法

专利申请号：CN202310733282.5

公 开 号：CN116646250A

发 明 人：伊艾伦 欧欣 周民 

代 理 人：郑华洁

代理机构：广州三环专利商标代理有限公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20230825

公 开 日：20230620

专利主分类号：H01L21/336

关 键 词：碳化硅 衬底 碳化硅键 合层 衬底结构 碳化硅外延层 离子 场效应管 碳化硅薄膜 集聚 轻离子 制备 外延碳化硅 导电处理 回收处理 晶圆键合 区域形成 集聚区 外延层 剥离 申请 

摘      要：本申请公开了一种碳化硅场效应管的制备方法，所述方法包括提供第一碳化硅衬底，在第一碳化硅衬底上外延碳化硅外延层；将轻离子注入碳化硅外延层，轻离子在碳化硅外延层内形成离子集聚区域，使得碳化硅外延层依次形成碳化硅薄膜层、离子集聚区和碳化硅键合层；提供第二碳化硅衬底，对第二碳化硅衬底与碳化硅键合层相互接触的表面进行导电处理；将第二碳化硅衬底与碳化硅键合层进行晶圆键合；将碳化硅键合层与离子集聚区域剥离，得到第一碳化硅衬底、碳化硅薄膜层和离子集聚区域形成的第一衬底结构以及第二碳化硅衬底与碳化硅键合层形成的第二衬底结构，并对第一衬底结构进行回收处理；基于第二衬底结构进行场效应管的制备，得到碳化硅场效应管。