一种垂直腔面发射激光器及其制备方法

专利申请号：CN202310601353.6

公 开 号：CN116646817A

发 明 人：高飞 王斌浩 

代 理 人：北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)徐彤

代理机构：北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)

专利类型：发明专利

申 请 日：20230825

公 开 日：20230525

专利主分类号：H01S5/183

关 键 词：弧形凹槽 垂直腔面发射激光器 衬底 电流通道 发光结构 电流限制层 多量子阱层 反射器 长轴 制备 申请 半导体器件技术 底部反射器 激光器模式 方向垂直 开口相对 跳动噪声 依次设置 有效抑制 高阻区 光功率 信噪比 短轴 界定 拍频 同阶 

摘      要：本申请公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，本申请的垂直腔面发射激光器，包括衬底以及形成于衬底上的发光结构，发光结构包括依次设置于衬底上的底部反射器，多量子阱层以及顶部反射器，发光结构上设置有两个弧形凹槽，两个弧形凹槽的开口相对，且弧形凹槽的底部露出衬底，顶部反射器靠近多量子阱层的一侧设置有电流限制层，所述电流限制层包括电流通道以及界定电流通道的高阻区，电流通道具有相对的长轴和短轴，且长轴与弧形凹槽相对方向垂直。本申请提供的垂直腔面发射激光器及其制备方法，能够增大同阶模之间的拍频，从而有效抑制激光器模式竞争和模式跳动噪声，提高光功率的稳定性、增强光信号的信噪比。