半导体器件及半导体器件制备方法

专利申请号：CN202310780511.9

公 开 号：CN116741807A

发 明 人：祁金伟 

代 理 人：北京东方亿思知识产权代理有限责任公司周靖舒

代理机构：北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20230912

公 开 日：20230629

专利主分类号：H01L29/06

关 键 词：超级结结构 空穴 半导体器件 衬底 载流子 半导体器件制备 导通压降 电荷平衡 交替排列 耐压性能 超高压 发射极 延伸 超结 减小 两层 流出 积累 申请 

摘      要：本申请公开了一种半导体器件及半导体器件制备方法，半导体器件，包括：衬底；至少两层超级结结构层，设于衬底一侧，超级结结构层包括交替排列、且延伸方向相同的P型条状埋区和N型条状埋区，且相邻超级结结构层内的P型条状埋区的延伸方向不同；N型埋层，设于相邻超级结结构层之间。通过增加纵向超级结结构层，从而提高了整个器件的耐压性能，实现超高压超结IGBT，且通过设置N型埋层，可阻止空穴的流出，N型埋层的下方出现空穴的积累，当空穴的数量大于电子的数量时，该区域将不能保持电荷平衡，则发射极注入更多的电子流至该区域，载流子的浓度局部增多，实现导通压降的减小。