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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
专利申请号:CN202310686187.4
公 开 号:CN116741779A
发 明 人:李平 宋健强 廖永波 徐丰和 万旭 袁丕根 牛耀都
专利类型:发明专利
申 请 日:20230912
公 开 日:20230612
专利主分类号:H01L27/092
关 键 词:集成电路结构 纵向堆叠 传输门 微电子技术 器件沟道 器件物理 集成度 宽长比 沟道 集成电路 芯片 节约
摘 要:该发明公开了一种纵向堆叠的传输门集成电路结构,涉及微电子技术和集成电路(IC)领域。基于与传统IC中MOSFET不同的器件物理原理,该发明提出一种纵向堆叠的传输门集成电路结构。该结构可以提高IC的集成度、显著缩短沟道长度、提高器件沟道宽长比调整的灵活性,节约芯片面积。