一种TMDC材料的近常压生长方法以及MBE装置

专利申请号：CN202310561164.0

公 开 号：CN116752096A

发 明 人：唐述杰 贾旭超 郭志强 李卓君 

代 理 人：上海智信专利代理有限公司余永莉

代理机构：上海智信专利代理有限公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20230915

公 开 日：20230518

专利主分类号：C23C14/24

关 键 词：常压 生长 反射式高能电子衍射仪 准分子脉冲激光 过渡金属元素 准分子激光器 激光加热器 挡板 薄膜生长 材料生长 材料制备 氛围气体 光纤耦合 加热目标 气体氛围 热蒸发源 实时监测 主体构造 可调的 双温区 级差 靶材 衬底 维度 轰击 体内 改进 

摘      要：本发明公开一种TMDC材料的近常压生长方法以及一种用于TMDC材料近常压生长的MBE装置。在MBE装置中进行TMDC材料的近常压生长，包括步骤：S1：通入氛围气体，实现腔体内近常压下可调的气体氛围；S2：使用光纤耦合激光加热器加热目标衬底，使其升温至材料生长目标温度；S3：打开双温区热蒸发源的挡板，再开启准分子激光器，利用248nm KrF准分子脉冲激光轰击过渡金属元素靶材，实现TMDC材料的近常压生长，利用两级差分反射式高能电子衍射仪进行实时监测。本发明提供了一种新的TMDC材料制备思路，改进MBE设备的主体构造，增加薄膜生长控制的两个新维度：压力与氛围，实现了TMDC材料的近常压生长。