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半导体激光器可靠性测试方法、系统及介质

半导体激光器可靠性测试方法、系统及介质

专利申请号:CN202310862114.6

公 开 号:CN116577627B

发 明 人:周少丰 罗军波 梁凯宇 王亮 覃紫唅 

代 理 人:武汉瑞创星知识产权代理事务所(普通合伙)曹雄

代理机构:武汉瑞创星知识产权代理事务所(普通合伙)

专利类型:发明专利

申 请 日:20231003

公 开 日:20230714

专利主分类号:G01R31/26

关 键 词:半导体激光器 程度评估 功率稳定 温度可靠性 温度稳定 测试 激光器技术领域 可靠性测试 设计和计算 测试效率 调控方式 功率波动 升温过程 逐渐减小 两阶段 热源 调控 

摘      要:本发明涉及激光器技术领域,特别涉及一种半导体激光器可靠性测试方法、系统及介质。本发明设计和计算半导体激光器功率稳定程度评估指数、半导体激光器环境温度稳定程度评估指数,并依据半导体激光器功率稳定程度评估指数、半导体激光器环境温度稳定程度评估指数进行热源调控,减少了半导体激光器温度可靠性测试所需的时间,增加了半导体激光器温度可靠性测试的效率;本发明采用两阶段调控方式,在升温过程中使半导体激光器功率稳定程度保持较高水平,在温度达到测试温度后使温度和功率波动同步逐渐减小,实现既减少了升温时间,又减少了温度和功率稳定下来的时间,使半导体激光器温度可靠性测试效率进一步提升。

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