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一种三极管仿真建模方法

一种三极管仿真建模方法

专利申请号:CN202310658249.0

公 开 号:CN116822430A

发 明 人:王鹤 王鹏 刘亮 周维 张宁 赵焕天 张德红 

代 理 人:北京航信高科知识产权代理事务所(普通合伙)郭鹏鹏

代理机构:北京航信高科知识产权代理事务所(普通合伙)

专利类型:发明专利

申 请 日:20230929

公 开 日:20230605

专利主分类号:G06F30/36

关 键 词:三极管 静态模型 结电容 零偏 反向饱和电流 物理参数 物理机理 发射极 共射极 集电极 构建 正向 放大 仿真建模技术 关联 筛选 三极管测试 动态特性 仿真建模 仿真结果 静态特性 实测数据 重新构建 传输 电路 吻合 分析 申请 

摘      要:本申请属于三极管仿真建模技术领域,具体涉及一种三极管仿真建模方法,分析三极管物理机理,筛选与三极管静态特性直接关联的主要物理参数反向饱和电流Is、正向共射极放大倍数βf,以反向饱和电流Is、正向共射极放大倍数βf构建三极管静态模型;分析三极管物理机理,筛选与三极管动态特性直接关联的主要物理参数基极‑发射极零偏结电容Cje、基极‑集电极零偏结电容Cjc、三极管传输时间τF,以基极‑发射极零偏结电容Cje、基极‑集电极零偏结电容Cjc、三极管传输时间τF构建三极管静态模型;以三极管静态模型、三极管静态模型,搭建三极管测试电路,将仿真结果与实测数据进行对比,若不相吻合,则重新构建三极管静态模型、三极管静态模型。

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