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筛查存在漏电通路的MOS器件的方法
专利申请号：CN202111011888.5
公 开 号：CN113725114B
代 理 人：江苏坤象律师事务所赵新民
代理机构：江苏坤象律师事务所
专利类型：发明专利
申 请 日：20230919
公 开 日：20210831
专利主分类号：H01L21/66
关 键 词：筛查 漏电通路 版图文件 电学特性 不利因素 模块判断 判断结果 人工检查 读入 研发 预设 自动化 分析
摘 要：本发明提供筛查存在漏电通路的MOS器件的方法，包括：读入待筛查的版图文件，获取所述版图文件中的MOS器件信息；利用预设的漏电通路筛查模块判断MOS器件是否存在漏电通路；将判断结果为存在漏电通路的MOS器件，作为筛查得到的MOS器件。步骤简洁，利于提高器件真实电学特性的分析的效率，筛查结果的可靠性高。有利于降低工艺研发成本，解决了人工检查费时和易产生疏漏的问题，当MOS器件数量较多时，利用漏电通路筛查模块进行自动化筛查的优势尤为明显；避免了器件真实电学特性的分析中存在的不利因素。
