一种半导体器件的制造方法

专利申请号：CN202210268153.9

公 开 号：CN116798870A

发 明 人：钮锋 葛芯汝 

代 理 人：北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)高园园

代理机构：北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)

专利类型：发明专利

申 请 日：20230922

公 开 日：20220318

专利主分类号：H01L21/336

关 键 词：半导体器件 高k介质层 金属栅极 金属硅化物工艺 接触孔 自对准金属硅化物 半导体衬底表面 孔洞 较高热稳定性 工艺复杂度 硅化物工艺 金属硅化物 成熟工艺 低电阻率 高温步骤 后栅工艺 局部互连 先进工艺 金属层 迁移率 后栅 后置 搭配 退化 主流 制造 

摘      要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，先采用硅化物工艺在半导体衬底表面形成自对准金属硅化物，再形成高k介质层及金属栅极，使高k介质层及金属栅极避免了前段工艺中的所有的高温步骤，从而能够解决高k介质层及金属栅极高温后出现的可靠性和迁移率退化的问题；本发明采用具有较低电阻率和较高热稳定性的金属硅化物TiSi2作为半导体器件的局部互连，有助于提高半导体器件的可靠性。相对于目前先进工艺的主流的后栅工艺(后栅需搭配后金属硅化物工艺，并需接触孔工艺转变成金属层的沟槽和孔洞工艺)，本发明无需后置金属硅化物工艺，并采用成熟工艺中常用的接触孔工艺，工艺复杂度低。