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半导体激光器及其制备方法
专利申请号：CN202210501840.0
公 开 号：CN117080862A
发 明 人：程宁
代 理 人：杨苓
代理机构：华进联合专利商标代理有限公司
专利类型：发明专利
申 请 日：20231117
公 开 日：20220510
专利主分类号：H01S5/12
关 键 词：光栅 半导体激光器 激光器 光子 多纵模振荡 并排设置 调制带宽 共振频率 激射波长 刻蚀工艺 谐振效应 有效控制 光波导 良品率 直调式 制备 反射
摘 要：本公开涉及一种高速直调的半导体激光器及其制备方法。所述半导体激光器包括光波导以及通过一次刻蚀工艺所形成的光栅；所述光栅包括并排设置的第一光栅部分和第二光栅部分；其中，所述第一光栅部分和第二光栅部分可以有效控制激射波长和光子‑光子共振频率，并产生负载失谐振效应。本公开可以在有效提升直调式半导体激光器调制带宽的同时实现较高的良品率，以及避免因激光器前后端面的反射而形成FP腔，导致激光器在高温或低温下产生多纵模振荡。
