碳化硅功率器件及其制备方法

专利申请号：CN202311319684.7

公 开 号：CN117276351A

发 明 人：袁旭 宗肖航 李铭聪 赵德胜 张宝顺 

代 理 人：南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)赵世发

代理机构：南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

专利类型：发明专利

申 请 日：20231222

公 开 日：20231011

专利主分类号：H01L29/786

关 键 词：碳化硅功率器件 复合栅介质层 衬底 第二电极 第一电极 栅介质层 电连接 沉积 制备 器件可靠性 栅极漏电流 耐压性能 设备结合 依次层叠 外延层 减小 量产 

摘      要：本发明公开了一种碳化硅功率器件及其制备方法。碳化硅功率器件包括：SiC衬底及沿选定方向依次层叠于所述SiC衬底上的SiC外延层、复合栅介质层，以及，第一电极、第二电极，所述第一电极与所述复合栅介质层电连接，所述第二电极与所述SiC衬底电连接。本发明提供的一种碳化硅功率器件及其制备方法，通过设置复合栅介质层，提高了栅极的耐压性能，减小了栅极漏电流，提高了器件可靠性；采用ALD和LPCVD设备结合沉积形成的栅介质层，可解决纯ALD沉积栅介质层时的沉积速度慢、量产困难的问题，从而提高了产量。