半导体器件高温测试结构及重力式常温与高温测试机

专利申请号：CN202311564283.8

公 开 号：CN117347814A

发 明 人：单忠频 康茂 李宗涛 丁鑫锐 陈伟明 陈志敏 彭宇杰 

代 理 人：麦俊逸

代理机构：深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)

专利类型：发明专利

申 请 日：20240105

公 开 日：20231122

专利主分类号：G01R31/26

关 键 词：半导体器件 加热轨道 高温测试 测试轨道 上料机构 斜台板 外露 移载 加热 测试技术领域 半导体性能 并列设置 测试机构 测试要求 成本问题 加热平台 中转设备 重力式 横移 滑移 路程 测试 移动 

摘      要：本发明涉及半导体性能测试技术领域，并公开了一种半导体器件高温测试结构及重力式常温与高温测试机，半导体器件高温测试结构包括斜台板、依次从上往下设置在斜台板上的移载上料机构、加热平台、以及加热测试机构，通过设置多个并列设置且可整体横移的加热轨道，移载上料机构输送半导体器件到设定的加热轨道上进行充分的加热，如果其中一条加热轨道上的半导体器件达到测试温度，该加热轨道就能移动与测试轨道对接，半导体器件就能无外露地从加热轨道滑移过渡至测试轨道，大大缩短了中转的路程，不仅解决了半导体器件因外露造成温度下降，不满足测试要求的问题，还节省了设置中转设备带来的成本问题。