一种磁约束反应装置的实现方法、装置、设备及介质

专利申请号：CN202311264601.9

公 开 号：CN117010314B

发 明 人：钱金平 罗正平 陈佳乐 李国强 陶冶 李航 陆坤 

代 理 人：广州三环专利商标代理有限公司郑晓璇

代理机构：广州三环专利商标代理有限公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20240116

公 开 日：20230928

专利主分类号：G06F30/367

关 键 词：击穿 位形 等离子体 数值仿真模型 最大线圈电流 性能函数 优化参数 求解 平衡 等离子体稳定性 超导托卡马克 参数构建 初始平衡 反应装置 刚性导体 规划问题 启动阶段 约束条件 增益因子 磁约束 偏滤器 最优化 包层 迭代 预设 优化 

摘      要：本发明公开了一种磁约束反应装置的实现方法、装置、设备及介质，根据零维参数构建初始平衡位形；在与包层、偏滤器以磁体三方面的迭代后，确定基准平衡的平衡位形；采用刚性导体建立等离子体击穿启动的数值仿真模型，对所述数值仿真模型进行最优化求解，确定最大线圈电流；将击穿后的启动阶段优化为一二次规划问题建立性能函数，采用预设的约束条件求解所述性能函数确定待求优化参数；根据所述平衡位形、所述最大线圈电流以及所述待求优化参数，完成超导托卡马克等离子体击穿启动。能够满足同时保持等离子体稳定性和相对较高的聚变增益因子。