一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件

专利申请号：CN202311674525.9

公 开 号：CN117542916A

发 明 人：金井升 张彼克 杨楠楠 张昕宇 

代 理 人：张维

代理机构：北京汇思诚业知识产权代理有限公司

专利类型：发明专利

申 请 日：20240209

公 开 日：20211029

专利主分类号：H01L31/068

关 键 词：掺杂 掺杂多晶硅层 太阳能电池 掺杂元素 半导体衬底表面 钝化层 电介质层 光伏组件 依次设置 转换效率 电连接 硅掺杂 电极 衬底 申请 制备 半导体 穿过 覆盖 

摘      要：本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，该太阳能电池包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的第一掺杂结构和第二掺杂结构；所述第一掺杂结构包括依次设置在所述半导体衬底表面的电介质层和掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层包含第三掺杂元素，所述第三掺杂元素包括碳、氮和氧中的至少一种，所述掺杂多晶硅层中第三掺杂元素的浓度为1e18cm‑3～1e19cm‑3；所述第二掺杂结构包括第一硅掺杂层；覆盖所述第一掺杂结构和第二掺杂结构的钝化层，穿过所述钝化层与所述掺杂多晶硅层形成电连接的电极。本申请太阳能电池通过设置不同类型的第一掺杂结构和第二掺杂结构，能够提高太阳能电池的转换效率。