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内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号 邮编: 010021
专利申请号:CN202311727990.4
公 开 号:CN117869431A
代 理 人:赵志远
代理机构:上海科盛知识产权代理有限公司
专利类型:发明专利
申 请 日:20240412
公 开 日:20231215
专利主分类号:F15D1/00
关 键 词:展向 基底 微沟槽 硬质基 分级 流体 薄膜表面 周期性变化 方向垂直 沟槽表面 航行器 雷诺数 减阻 软质 薄膜 制备
摘 要:本发明涉及一种结合流向与展向分级微沟槽的减阻薄膜及其制备方法,包括基底与分级微沟槽,其中基底包括软质基底、一级硬质基底、二级硬质基底、三级硬质基底;分级微沟槽包括展向一级沟槽、流向二级沟槽、展向三级沟槽;所述的流向二级沟槽布置在基底上,所述流向二级沟槽顶部与底部高度沿流体方向发生周期性变化,构成展向一级沟槽;所述流向二级沟槽表面具有展向三级沟槽;所述流向二级沟槽的设置方向与薄膜表面的流体方向相同;所述展向一级沟槽与展向三级沟槽的设置方向与薄膜表面的流体方向垂直。与现有技术相比,本发明具有更能适应来流方向的变化,更适用于不同雷诺数的航行器。